對於參雜 III 族元素(e.g., ) 而言,會得到 P-type 半導體,hole 為主要載子,濃度為 p=NA
對於參雜 V 族元素而言,會得到 N-type 半導體,electron 為主要載子,濃度為 n=ND
但現在若考慮參雜為不均勻分布,則對應的 NA,ND 濃度將不再是固定常數,而是一個隨空間變化的函數,為了分析簡便我們這邊採用 1-Dimensional ,亦即 electron or hole 的濃度為 x 的函數如下
NA(x),ND(x)現在令 p+(x) 表 電洞濃度,N−A(x) 表對應的三價雜質的離子濃度。則此時我們不能再說電洞濃度 p+(x)=N−A(x) 或者 電子濃度 n−(x)=N+D(x),因為一旦成為了空間的函數,若濃度不均,就會產生 擴散效應 (diffusion ) 。
故在不均勻參雜的情況,我們有
{p(x)≈NA(x)n(x)≈ND(x)
現在我們以一個 開路 P-type 半導體為例
繪製濃度與空間的圖形如下:
上圖顯示了在 NA(x) 濃度較高處 (e.g., x=x1),則我們有
N−A(x)≥p+(x)亦即此時的 淨電荷(net charge)為 負電荷。
在 NA(x) 濃度較低處 (e.g., x=x2),則我們有
N−A(x)≤p+(x)亦即此時的 淨電荷(net charge)為 正電荷。
故整體而言,雜質的濃度會在 x2 區域 積聚淨正電荷,並在 x1 區域積聚淨負電荷,此時便會產生內建電場 (build-in electric field) →E(x),其方向會由正電荷指向負電荷方向 (濃度高指向濃度低) 如下圖所示
那麼我們的問題便是 內建電位差是多少?
我們首先逐步計算此電位差,由於 P-type 為開路,故電流為 0,亦即我們令 Jp 表總電洞電流密度,Jp,drift 為電洞的飄移電流密度,Jp,diffusion 為電洞的擴散電流密度,則我們有
Jp,total=Jp,drift+Jp,diffusion≡0 (∗)回憶電洞飄移電流密度與飄移速度 vd成正比以及 電洞擴散電流密度與濃度梯度成正比,故我們有下列關係
{Jp,drift=(qp)vd=qpμpEJp,diffusion=−qDpdpdx現在將上式帶入 (∗) 可得
Jp,drift+Jp,diffusion≡0⇒qpμpE−qDpdpdx=0⇒E=Dppμpdpdx現在利用電場定義 E=−dV/dx 帶入上式並且兩邊同取積分,我們可得
−dVdxdx=Dpμpdpp⇒∫21dV=−Dpμp∫21dpp⇒V2−V1=Dpμp⏟:=VTln(p1p2)⇒V21=VTln(p1p2)
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